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西门康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)结构和工作原理绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。西门康IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在西门康IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。国产模块平台

模块

英飞凌IGBT综述：我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级，适用于几乎所有应用。市场的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模块都采用了的IGBT技术。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置，电流等级从6A到3600A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦，高至数兆瓦。这些产品可用于通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电（如光伏逆变器或风电应用）等应用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用寿命长的优势。IGBT模块采用预涂热界面材料（TIM），能让电力电子应用实现一致性的散热性能。此外，IGBT模块可以借助压接引脚进行安装，从而实现无焊料无铅的功率模块安装。英飞凌可控硅：综述：6.5kV片式晶闸管系列包括四款强大而可靠的片式器件，专为满足中压软起动器应用的特殊要求而开发。所有器件均具备很强的抗浪涌电流能力。开关性能经过优化，可以按串联器件的数量轻松调整软起动器，以适应不同的工作电压。该器件还适用于通用线电压整流器应用，如电源和标准驱动。品质模块装潢IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。

分两种情况：②若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。②若栅-射极电压UGE＞Uth，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。IGBT各世代的技术差异回顾功率器件过去几十年的发展，1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO，该时段的产品通态电阻很小；电流控制，控制电路复杂且功耗大；1970年代单极型器件VD-MOSFET。但随着终端应用的需求，需要一种新功率器件能同时满足：驱动电路简单,以降低成本与开关功耗、通态压降较低，以减小器件自身的功耗。1980年代初,试图把MOS与BJT技术集成起来的研究，导致了IGBT的发明。1985年前后美国GE成功试制工业样品（可惜后来放弃）。自此以后，IGBT主要经历了6代技术及工艺改进。从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：1）IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型；2）IGBT栅极结构：平面栅机构、Trench沟槽型结构；3）硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶；其发展趋势是：①降低损耗②降低生产成本总功耗＝通态损耗(与饱和电压VCEsat有关)+开关损耗(EoffEon)。

英飞凌整流桥综述EconoBRIDGE整流器模块应用在完善的Econo2和Econo4封装中。它们可以与EconoPACK2&3和EconoPACK4封装三相桥较高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流级有二极管时实现不控整流，也可在整流级中使用晶闸管实现半控整流。关键特性•高集成度：整流桥、制动斩波器和NTC共用一个封装，可节约系统成本•灵活性：可定制的封装（引脚位置和拓扑结构可根据客户需求定制）•一体通用：多种拓扑和电流（100A-360A）等级适用于多种应用，实现平台化战略•功率密度：与TrenchstopIGBT3相比，TrenchstopIGBT4技术的Tvjop达到150°C,具有更高的功率密度，适用于紧凑型逆变器设计•性能：与标准模块相比，预涂热界面材料（TIM）可以提高输出功率并延长使用寿命•标准化：建立符合RoHS的封装理念，实现高可用性•简便性：PressFIT用于主端子以及辅助端子，以减少装配的工作量应用领域•电机控制和驱动•采暖通风与空调(HVAC)•不间断电源(UPS)100kVA•太阳能系统解决方案•工业加热和焊接后来，通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个改进。

赛米控IGBT驱动系列赛米控提供两种不同的IGBT驱动系列，可涵盖任何应用。可使用适配板针对各类模块优化SKHI和SKYPER系列的驱动。SKYPERPrime等驱动提供技术完善的即插即用解决方案，可在实际应用中节省时间和成本。SKYPER系列的单通道输出功率为1W至4W，涵盖30kW至2MW全功率范围的逆变器。赛米控的新型ASIC芯片组具有高集成度，可在整个生命周期内提供安全的IGBT门极控制。通过隔离故障通道，可快速解决短路问题。软关断和过电压反馈可避免危险的过电压问题。混合信号ASIC保证在整个温度范围内都有比较低的误差。MLI或并联IGBT拓扑结构通过可调故障处理技术进行管理。凭借优化的接口和可调滤波器设置，SKYPER系列在噪声干扰严重的环境中也可安全运行。赛米控的适配板可利用各种IGBT模块构建的逆变器平台。的亮点有SKYPER12驱动核，以及采用电气和光学接口的即插即用型驱动SKYPERPrime。SKYPER12PVR属于款的驱动核，能够提供20A输出峰值电流并允许在1500VDC下实现极其紧凑的设计。其功能和鲁捧性使其非常适合用于太阳能应用。SKYPERPrime提供集成式绝缘直流母线和温度测量能力，还能帮助客户大幅降低系统成本。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。模块大概价格多少

封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。国产模块平台

200～1500V一次短路电流1～1200A1～200A±3%±1A；1～1200AVge栅极电压10～30V10～+30V±1%±10～30V本测试单元包括动态参数测试组成部分，主要组成材料及其要求如下所示。动态参数测试部分主要材料清单表格12动态参数测试部分组成序号组成部分单位数量1可调充电电源套12直流电容器个83动态测试负载电感套14安全工作区测试负载电感套15补充充电回路限流电感L个16短路保护放电回路套17正常放电回路套18高压大功率开关个59尖峰抑制电容个110主回路正向导通晶闸管个211动态测试续流二极管个212安全工作区测试续流二极管个313被测器件旁路开关个114工控机及操作系统套115数据采集与处理单元套116机柜及其面板套117压接夹具及其配套系统套118加热装置套119其他辅件套1动态参数测试单元技术要求环境条件1)海拔高度：海拔不超过1000m；2)温度：储存环境温度-20℃～60℃；3)工作环境温度：-5℃～40℃；4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)；5)震动：抗地震能力按7级设防，地面抗震动能力≤；6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。国产模块平台

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